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半導(dǎo)體等離子去膠機(jī)行業(yè)應(yīng)用場景

更新時(shí)間:2025-06-19      點(diǎn)擊次數(shù):164
  半導(dǎo)體等離子去膠機(jī)是半導(dǎo)體制造工藝中的關(guān)鍵設(shè)備,主要用于去除光刻膠、殘留物或污染物。它利用等離子體的高能特性,通過物理或化學(xué)作用實(shí)現(xiàn)高效、精準(zhǔn)的去膠和表面處理。
  一、半導(dǎo)體等離子去膠機(jī)核心功能與原理:
  1.核心功能:
  去膠:去除光刻工藝后殘留的光刻膠(正膠或負(fù)膠)。
  表面清潔:清除晶圓表面的有機(jī)物、氧化物或顆粒污染物。
  表面活化:增強(qiáng)晶圓表面活性,提高后續(xù)工藝(如鍍膜、鍵合)的附著力。
  蝕刻:選擇性去除特定材料(如氧化層),用于精細(xì)圖形處理。
  2.工作原理:
  通過等離子體(由氣體電離產(chǎn)生的高能離子和自由基)與光刻膠或污染物發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或物理轟擊,實(shí)現(xiàn)材料去除。
  常見氣體包括氧氣、氟化氣體、氬氣等,根據(jù)工藝需求選擇。
  二、半導(dǎo)體等離子去膠機(jī)行業(yè)應(yīng)用場景:
  1.半導(dǎo)體制造:
  光刻工藝后清洗:去除光刻膠殘留,避免影響后續(xù)刻蝕或沉積工藝。
  先進(jìn)封裝:在3D封裝、TSV(硅通孔)等工藝中,用于清潔芯片表面或去除臨時(shí)鍵合膠。
  MEMS制造:去除光刻膠和釋放微結(jié)構(gòu)(如諧振器、傳感器)。
  2.集成電路(IC)生產(chǎn):
  在晶圓減薄、切割前清潔表面,防止污染。
  在金屬線鍵合前處理焊盤表面,提高鍵合強(qiáng)度。
  3.LED與光電器件:
  去除LED芯片表面的光刻膠或熒光粉殘留。
  清潔光伏電池表面,提升光電轉(zhuǎn)換效率。
  4.功率器件與第三代半導(dǎo)體:
  用于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體的表面處理,去除高粘性光刻膠。
  在IGBT、MOSFET等功率器件制造中,清潔金屬層或介質(zhì)層。
  5.先進(jìn)封裝技術(shù):
  在扇出型封裝(Fan-out)、系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)中,用于去除臨時(shí)鍵合膠或清潔RDL(重布線層)。
  6.科研與新材料領(lǐng)域:
  在納米材料、石墨烯等新型材料的制備中,用于表面清潔或圖形化處理。
  支持高校、研究所的微納加工實(shí)驗(yàn)。
 

 

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